類別:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
規(guī)格:MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
器件封裝:TO-252,(D-Pak)
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基本功能
制造商產(chǎn)品型號(hào):SUD19P06-60-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列:TrenchFET?零件狀態(tài):有源FET類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):60V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):18.3A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):60 毫歐 @ 10A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1710pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):2.3W(Ta),38.5W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:TO-252,(D-Pak)SUD19P06-60-GE3 | Vishay代理全新原裝現(xiàn)貨
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