類別:單端場效應管
規格:MOSFET N-CH 40V 120A TO263
TO-263
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基本功能
Vishay威世半導體原廠型號:SQM120N04-1M9-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO263系列:TrenchFETFET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):40V電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):120A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 30A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):270nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8790pF @ 25V功率 - 最大值:300W安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:TO-263SQM120N04-1M9-GE3 | Vishay代理全新原裝現貨
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