類別:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
規格:DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
封裝:8-PowerWDFN
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基本功能
制造商產品型號:SIZF906BDT-T1-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:TrenchFET? Gen IV零件狀態:有源FET類型:2 個 N 通道(雙),肖特基FET功能:標準漏源電壓(Vdss):30V25°C時電流-連續漏極(Id):36A(Ta),105A(Tc),63A(Ta),257A(Tc)不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):2.1 毫歐 @ 15A,10V,680μ歐姆 @ 20A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):49nC @ 10V,165nC @ 10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1630pF @ 15V,5550pF @ 15V功率-最大值:4.5W(Ta),38W(Tc),5W(Ta),83W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-PowerWDFNSIZF906BDT-T1-GE3 | Vishay代理全新原裝現貨
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