類別:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
規(guī)格:MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK
器件封裝:PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)
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基本功能
制造商產(chǎn)品型號:SISS32DN-T1-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:TrenchFET? Gen IV零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):80V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):17,4A(Ta),63A(Tc)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):7.5V,10V不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):7,2 毫歐 @ 10A,10V不同Id時Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1930pF @ 40VFET功能:-功率耗散(最大值):5W(Ta),65.7W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:PowerPAK? 1212-8S(3.3x3.3)SISS32DN-T1-GE3 | Vishay代理全新原裝現(xiàn)貨
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