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SIR802DP-T1-GE3-Vishay代理全新原裝現(xiàn)貨
類別：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
規(guī)格：MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
器件封裝：PowerPAK? SO-8
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市場(chǎng)上提供SIR802DP-T1-GE3原裝現(xiàn)貨的威世代理商之一
基本功能
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SIR802DP-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：30A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 10A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1785pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：4.6W（Ta），27.7W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：PowerPAK? SO-8
  • SIR802DP-T1-GE3 | Vishay代理全新原裝現(xiàn)貨
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