類別:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
規(guī)格:MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
器件封裝:PowerPAK? SO-8
歡迎通過電話、微信、郵件、QQ與我們聯(lián)系取得報(bào)價(jià)
基本功能
制造商產(chǎn)品型號:SIR120DP-T1-RE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列:TrenchFET? Gen IV零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):80V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):24.7A(Ta),106A(Tc)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):7.5V,10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.55 毫歐 @ 15A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):94nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):4150pF @ 40VFET功能:-功率耗散(最大值):5.4W(Ta),100W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:PowerPAK? SO-8SIR120DP-T1-RE3 | Vishay代理全新原裝現(xiàn)貨
以下產(chǎn)品與SIR120DP-T1-RE3或許具有相似功能:
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay
Vishay