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SIHD4N80E-GE3-Vishay代理全新原裝現(xiàn)貨
類別:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
規(guī)格:MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
器件封裝:D-PAK(TO-252AA)
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市場上提供SIHD4N80E-GE3原裝現(xiàn)貨的威世代理商之一
基本功能
  • 制造商產(chǎn)品型號:SIHD4N80E-GE3
  • 制造商:Vishay Siliconix
  • 描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:E
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):800V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.3A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.27 歐姆 @ 2A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):622pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):69W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D-PAK(TO-252AA)
  • SIHD4N80E-GE3 | Vishay代理全新原裝現(xiàn)貨
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