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SIHB35N60E-GE3-Vishay代理全新原裝現貨
類別：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
規格：MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
器件封裝：D2PAK（TO-263）
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市場上提供SIHB35N60E-GE3原裝現貨的威世代理商之一
基本功能
  • 制造商產品型號：SIHB35N60E-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：650V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：32A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：94 毫歐 @ 17A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：132nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2760pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：250W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：D2PAK（TO-263）
  • SIHB35N60E-GE3 | Vishay代理全新原裝現貨
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