類別:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
規格:MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)
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基本功能
制造商產品型號:SI4931DY-T1-GE3制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:TrenchFET?零件狀態:有源FET類型:2 個 P 溝道(雙)FET功能:邏輯電平門漏源電壓(Vdss):12V25°C時電流-連續漏極(Id):6.7A不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):18 毫歐 @ 8.9A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1V @ 350μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):52nC @ 4.5V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-功率-最大值:1.1W工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:8-SOIC(0.154,3.90mm 寬)SI4931DY-T1-GE3 | Vishay代理全新原裝現貨
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