類別：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
規(guī)格：MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
器件封裝：8-VSONP（3x3.15）
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基本功能
制造商產(chǎn)品型號(hào)：CSD17579Q3A制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：NexFET?零件狀態(tài)：有源FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：20A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：10.2 毫歐 @ 8A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：998pF @ 15VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），29W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：8-VSONP（3x3.15）CSD17579Q3A | TI代理全新原裝現(xiàn)貨以下產(chǎn)品與CSD17579Q3A或許具有相似功能：
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