基本功能
制造商產品型號：STL18NM60N制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：MDmesh? II零件狀態：不適用於新設計FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：2.1A（Ta），12A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：310 毫歐 @ 6A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1000pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：3W（Ta），110W（Tc）工作溫度：150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：PowerFlat?（8x8）HVSTL18NM60N | ST代理全新原裝現貨
