類別：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格：IGBT 650V 120A 360W TO247
封裝：TO-247-3
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基本功能
制造商產品型號：STGW60H65DF制造商：STMicroelectronics描述：IGBT 650V 120A 360W TO247系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：120A電流-集電極脈沖(Icm)：240A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，60A功率-最大值：360W開關能量：1.5mJ（開），1.1mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：206nC25°C時Td（開/關）值：67ns/165ns測試條件：400V，60A，10 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：62ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3STGW60H65DF | ST代理全新原裝現貨以下產品與STGW60H65DF或許具有相似功能：
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