類別:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格:IGBT 425V 40A 200W D2PAK
封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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基本功能
制造商產品型號:STGB20NB37LZ制造商:STMicroelectronics描述:IGBT 425V 40A 200W D2PAK系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:PowerMESH?零件狀態:停產IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):425V電流-集電極(Ic)(最大值):40A電流-集電極脈沖(Icm):80A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 4.5V,20A功率-最大值:200W開關能量:11.8mJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:51nC25°C時Td(開/關)值:2.3μs/2μs測試條件:250V,20A,1 千歐,4.5V反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABSTGB20NB37LZ | ST代理全新原裝現貨
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