類別:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
規(guī)格:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
器件封裝:D2PAK
歡迎通過(guò)電話、微信、郵件、QQ與我們聯(lián)系取得報(bào)價(jià)
基本功能
制造商產(chǎn)品型號(hào):STB34NM60ND制造商:STMicroelectronics描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列:FDmesh? II零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):600V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):29A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):110 毫歐 @ 14.5A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):80.4nC @ 10VVgs(最大值):±25V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):2785pF @ 50VFET功能:-功率耗散(最大值):190W(Tc)工作溫度:150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:D2PAKSTB34NM60ND | ST代理全新原裝現(xiàn)貨
以下產(chǎn)品與STB34NM60ND或許具有相似功能:
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST