類別：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
規格：SICFET N-CH 650V 100A HIP247
器件封裝：HiP247?
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基本功能
制造商產品型號：SCTW100N65G2AG制造商：STMicroelectronics描述：SICFET N-CH 650V 100A HIP247系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：SiCFET（碳化硅）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時電流-連續漏極(Id)：100A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：26 毫歐 @ 50A，18V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：162nC @ 18VVgs（最大值）：+22V，-10V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3315pF @ 520VFET功能：-功率耗散（最大值）：420W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：HiP247?SCTW100N65G2AG | ST代理全新原裝現貨以下產品與SCTW100N65G2AG或許具有相似功能：
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