類別:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
規格:SICFET N-CH 650V 100A HIP247
器件封裝:HiP247?
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基本功能
制造商產品型號:SCTW100N65G2AG制造商:STMicroelectronics描述:SICFET N-CH 650V 100A HIP247系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產品系列:Automotive, AEC-Q101零件狀態:有源FET類型:N 通道技術:SiCFET(碳化硅)漏源電壓(Vdss):650V25°C時電流-連續漏極(Id):100A(Tc)驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):18V不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):26 毫歐 @ 50A,18V不同Id時Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):162nC @ 18VVgs(最大值):+22V,-10V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3315pF @ 520VFET功能:-功率耗散(最大值):420W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)安裝類型:通孔器件封裝:HiP247?SCTW100N65G2AG | ST代理全新原裝現貨
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