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ST
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PD20010-E
PD20010-E
制造:
ST(意法半導體)
類別:
晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
規格:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
封裝:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)
PD20010-E技術資料下載
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基本功能
制造商產品型號:PD20010-E
制造商:STMicroelectronics
描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
零件狀態:有源
晶體管類型:LDMOS
頻率:2GHz
增益:11dB
電壓-測試:13.6V
額定電流(安培):5A
噪聲系數:-
電流-測試:150mA
功率-輸出:10W
電壓-額定:40V
封裝:PowerSO-10RF 裸露底部焊盤(2 條成形引線)
PD20010-E | ST代理全新原裝現貨
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