功率器件
SiC（碳化硅）功率器件
與Si半導(dǎo)體相比，SiC功率元件可進(jìn)一步實現(xiàn)小型化、低功耗及高效化。它在高溫環(huán)境下具備優(yōu)良的工作特性，且開關(guān)損耗更低，作為新一代低損耗元件，備受期待。
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SiC（碳化硅）肖特基二極管 (39)
因為Total Capacitive Charge(Qc)小、可以降低開關(guān)損失,實現(xiàn)高速開關(guān)。而且，Si快速恢復(fù)二極管的trr會隨著溫度上升而增大，而SiC則可以維持大體一定的特性。
SiC（碳化硅）MOSFET (5)
開關(guān)時的差動放大電流原則上是沒有的，所以可以高速運(yùn)作，開關(guān)損失降低。 小尺寸芯片的導(dǎo)通電阻低，所以實現(xiàn)低容量豐門極消耗。 Si產(chǎn)品隨溫度的上升導(dǎo)通電阻上升2倍以上，SiC的導(dǎo)通電阻上升小，可以實現(xiàn)整機(jī)的小型化和節(jié)能化。
SiC（碳化硅）功率模塊 (2)
內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC構(gòu)成，與Si(硅)材質(zhì)的IGBT模塊相比，可大幅降低開關(guān)損耗。 內(nèi)置SiC-SBD、SiC-MOSFET，與傳統(tǒng)的Si-IGBT相比，在100KHｚ以上的高頻環(huán)境下工作成為可能。
