類別：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
規格：MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
器件封裝：DPAK-3
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基本功能
制造商產品型號：NVD5867NLT4G-TB01制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：Automotive, AEC-Q101零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：60V25°C時電流-連續漏極(Id)：6A（Ta），22A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：39 毫歐 @ 11A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：675pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.3W（Ta），43W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：DPAK-3NVD5867NLT4G-TB01 | ON代理全新原裝現貨以下產品與NVD5867NLT4G-TB01或許具有相似功能：
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