類別:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
封裝:模具
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基本功能
制造商產品型號:NGTD13T65F2WP制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:有源IGBT類型:溝槽型場截止電壓-集射極擊穿(最大值):650V電流-集電極(Ic)(最大值):-電流-集電極脈沖(Icm):120A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A功率-最大值:-開關能量:-輸入類型:標準柵極電荷:-25°C時Td(開/關)值:-測試條件:-反向恢復時間(trr):-工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:模具NGTD13T65F2WP | ON代理全新原裝現貨
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