類別：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
封裝：模具
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基本功能
制造商產品型號：NGTD13T65F2WP制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：有源IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：-電流-集電極脈沖(Icm)：120A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A功率-最大值：-開關能量：-輸入類型：標準柵極電荷：-25°C時Td（開/關）值：-測試條件：-反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：模具NGTD13T65F2WP | ON代理全新原裝現貨以下產品與NGTD13T65F2WP或許具有相似功能：
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