類別：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格：IGBT 600V 17A 70W TO220AB
封裝：TO-220-3
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基本功能
制造商產品型號：HGTP3N60A4D制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 17A 70W TO220AB系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：不適用於新設計IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：17A電流-集電極脈沖(Icm)：40A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，3A功率-最大值：70W開關能量：37μJ（開），25μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：21nC25°C時Td（開/關）值：6ns/73ns測試條件：390V，3A，50 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：29ns工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-220-3HGTP3N60A4D | ON代理全新原裝現貨以下產品與HGTP3N60A4D或許具有相似功能：
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