類別：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格：IGBT 600V 14A 60W TO263AB
封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
歡迎通過電話、微信、郵件、QQ與我們聯系取得報價
基本功能
制造商產品型號：HGT1S7N60C3DS9A制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 14A 60W TO263AB系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：14A電流-集電極脈沖(Icm)：56A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，7A功率-最大值：60W開關能量：165μJ（開），600μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：23nC25°C時Td（開/關）值：-測試條件：480V，7A，50歐姆，15V反向恢復時間(trr)：37ns工作溫度：-安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABHGT1S7N60C3DS9A | ON代理全新原裝現貨以下產品與HGT1S7N60C3DS9A或許具有相似功能：
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
