類別:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格:IGBT 600V 14A 60W TO263AB
封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
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基本功能
制造商產品型號:HGT1S7N60C3DS9A制造商:ON安森美半導體(ON Semiconductor,ONSEMI)描述:IGBT 600V 14A 60W TO263AB系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列:-零件狀態:停產IGBT類型:-電壓-集射極擊穿(最大值):600V電流-集電極(Ic)(最大值):14A電流-集電極脈沖(Icm):56A不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,7A功率-最大值:60W開關能量:165μJ(開),600μJ(關)輸入類型:標準柵極電荷:23nC25°C時Td(開/關)值:-測試條件:480V,7A,50歐姆,15V反向恢復時間(trr):37ns工作溫度:-安裝類型:表面貼裝型封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263ABHGT1S7N60C3DS9A | ON代理全新原裝現貨
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