類別：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA
封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
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基本功能
制造商產品型號：HGT1S20N36G3VL制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：395V電流-集電極(Ic)（最大值）：37.7A電流-集電極脈沖(Icm)：-不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 5V，20A功率-最大值：150W開關能量：-輸入類型：邏輯柵極電荷：28.7nC25°C時Td（開/關）值：-/15μs測試條件：300V，10A，25歐姆，5V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AAHGT1S20N36G3VL | ON代理全新原裝現貨以下產品與HGT1S20N36G3VL或許具有相似功能：
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