基本功能
制造商產品型號：FQI4N80TU制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：QFET?零件狀態：有源FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：800V25°C時電流-連續漏極(Id)：3.9A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3.6 歐姆 @ 1.95A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：880pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），130W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I2PAK（TO-262）FQI4N80TU | ON代理全新原裝現貨
