類別：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
規(guī)格：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
器件封裝：D-Pak
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基本功能
制造商產(chǎn)品型號(hào)：FQD2N60CTF_F080制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：QFET?零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：1.9A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.7 歐姆 @ 950mA，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：235pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），44W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D-PakFQD2N60CTF_F080 | ON代理全新原裝現(xiàn)貨以下產(chǎn)品與FQD2N60CTF_F080或許具有相似功能：
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