類別：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
規格：MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
器件封裝：D2PAK（TO-263AB）
歡迎通過電話、微信、郵件、QQ與我們聯系取得報價
基本功能
制造商產品型號：FQB10N60CTM制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：QFET?零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：9.5A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：730 毫歐 @ 4.75A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：57nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2040pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.13W（Ta），156W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型器件封裝：D2PAK（TO-263AB）FQB10N60CTM | ON代理全新原裝現貨以下產品與FQB10N60CTM或許具有相似功能：
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
ON
