類別：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
規格：IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
封裝：TO-247-3
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基本功能
制造商產品型號：FGH75T65UPD制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 650V 150A 375W TO-247AB系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：不適用於新設計IGBT類型：溝槽型場截止電壓-集射極擊穿（最大值）：650V電流-集電極(Ic)（最大值）：150A電流-集電極脈沖(Icm)：225A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，75A功率-最大值：375W開關能量：2.85mJ（開），1.2mJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：385nC25°C時Td（開/關）值：32ns/166ns測試條件：400V，75A，3 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：85ns工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔封裝：TO-247-3FGH75T65UPD | ON代理全新原裝現貨以下產品與FGH75T65UPD或許具有相似功能：
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