基本功能
制造商產品型號：FGB40N6S2T制造商：ON安森美半導體（ON Semiconductor，ONSEMI）描述：IGBT 600V 75A 290W TO263AB系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產品系列：-零件狀態：停產IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：75A電流-集電極脈沖(Icm)：180A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，20A功率-最大值：290W開關能量：115μJ（開），195μJ（關）輸入類型：標準柵極電荷：35nC25°C時Td（開/關）值：8ns/35ns測試條件：390V，20A，3 歐姆，15V反向恢復時間(trr)：-工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263ABFGB40N6S2T | ON代理全新原裝現貨
