類別:單端場效應(yīng)管
規(guī)格:MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
3-DFN1006B
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基本功能
NXP恩智浦完整型號(hào):PMZB370UNE,315制造廠家名稱:NXP Semiconductors描述:MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3系列:-FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):900mA(Ta)不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):490 毫歐 @ 500mA, 4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.05V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1.16nC @ 15V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):78pF @ 25V功率 - 最大值:360mW安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN供應(yīng)商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1)PMZB370UNE,315 | NXP代理全新原裝現(xiàn)貨
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