類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
規(guī)格:MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
3-DFN
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基本功能
NXP恩智浦完整型號(hào):PMXB120EPEZ制造廠家名稱:NXP Semiconductors描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3系列:-FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.4A(Ta)不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):120 毫歐 @ 2.4A, 10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):309pF @ 15V功率 - 最大值:400mW安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:3-DFN (1.1x1)PMXB120EPEZ | NXP代理全新原裝現(xiàn)貨
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