類別:場效應管模塊
規格:MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
SP1
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基本功能
Microsemi美高森美完整型號:APTM120H140FT1G制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group描述:MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1系列:-FET 類型:4 個 N 通道(H 橋)FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):1200V(1.2kV)電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):8A不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.68 歐姆 @ 7A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):145nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3812pF @ 25V功率 - 最大值:208W安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1供應商器件封裝:SP1APTM120H140FT1G | Microsemi代理全新原裝現貨
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