類別:單端場效應管
規(guī)格:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
TO-220-3
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基本功能
Infineon英飛凌公司完整型號:IPP60R299CP制造廠家名稱:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO-220系列:CoolMOS?FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):650V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):11A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):299 毫歐 @ 6.6A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):29nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1100pF @ 100V功率 - 最大值:96W安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3供應商器件封裝:TO-220-3IPP60R299CP | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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