類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
規(guī)格:MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
PG-TO262-3
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基本功能
Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPI80N03S4L-03制造廠家名稱:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3系列:OptiMOS?FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.7毫歐 @ 80A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 90μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):140nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):9750pF @ 25V功率 - 最大值:136W安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3IPI80N03S4L-03 | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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