類別:單端場效應(yīng)管
規(guī)格:MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
PG-TO262-3
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基本功能
Infineon英飛凌公司完整型號:IPI100N06S3L-04制造廠家名稱:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 55V 100A TO-262系列:OptiMOS?FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):55V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):100A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 80A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 150μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):362nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):17270pF @ 25V功率 - 最大值:214W安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:PG-TO262-3IPI100N06S3L-04 | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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