類別:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
規(guī)格:MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
器件封裝:PG-TO263-7-3
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基本功能
制造商產(chǎn)品型號(hào):IPB180P04P4L02ATMA1制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列:OptiMOS?零件狀態(tài):不適用於新設(shè)計(jì)FET類型:P 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):40V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):180A(Tc)驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):2.4 毫歐 @ 100A,10V不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):2.2V @ 410μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):286nC @ 10VVgs(最大值):±16V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):18700pF @ 25VFET功能:-功率耗散(最大值):150W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:PG-TO263-7-3IPB180P04P4L02ATMA1 | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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