類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
規(guī)格:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
PG-TO263-3-2
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基本功能
Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPB100N04S4-H2制造廠家名稱:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2系列:OptiMOS?FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):40V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 100A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 70μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):90nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7180pF @ 25V功率 - 最大值:115W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-3-2IPB100N04S4-H2 | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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