類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
規(guī)格:MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3
PG-TO263-2
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基本功能
Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPB035N08N3 G制造廠家名稱:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3系列:OptiMOS?FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss):80V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):100A(Tc)不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 100A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 155μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):117nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):8110pF @ 40V功率 - 最大值:214W安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-2IPB035N08N3 G | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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