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IPB021N06N3 G-Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
類別：單端場效應管
規(guī)格：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
PG-TO263-2
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市場上提供IPB021N06N3 G原裝現(xiàn)貨的英飛凌代理商之一
基本功能
  • Infineon英飛凌公司完整型號：IPB021N06N3 G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.1 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 196μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：275nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：23000pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：250W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應商器件封裝：PG-TO263-2
  • IPB021N06N3 G | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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