類別:單端場效應管
規(guī)格:MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
PG-TO263-2
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基本功能
Infineon英飛凌公司完整型號:IPB021N06N3 G制造廠家名稱:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3系列:OptiMOS?FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:標準漏源極電壓 (Vdss):60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):120A(Tc)不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 100A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 196μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):275nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):23000pF @ 30V功率 - 最大值:250W安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:PG-TO263-2IPB021N06N3 G | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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