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IPB019N08N3 G-Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
規(guī)格:MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
PG-TO263-7
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市場(chǎng)上提供IPB019N08N3 G原裝現(xiàn)貨的英飛凌代理商之一
基本功能
  • Infineon英飛凌公司完整型號(hào):IPB019N08N3 G
  • 制造廠(chǎng)家名稱(chēng):Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門(mén)
  • 漏源極電壓 (Vdss):80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):180A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 270μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):206nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):14200pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安裝類(lèi)型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線(xiàn)+接片),TO-263CB
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-7
  • IPB019N08N3 G | Infineon代理全新原裝現(xiàn)貨
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