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IMBG120R140M1HXTMA1-Infineon代理全新原裝現貨
類別：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
規格：TRANS SJT N-CH 1.2KV 18A TO263
器件封裝：PG-TO263-7-12
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市場上提供IMBG120R140M1HXTMA1原裝現貨的英飛凌代理商之一
基本功能
  • 制造商產品型號：IMBG120R140M1HXTMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 18A TO263
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：CoolSiC?
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：SiC（碳化硅結晶體管）
  • 漏源電壓（Vdss）：1.2kV
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：18A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：189 毫歐 @ 6A，18V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 2.5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：13.4nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+18V，-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：491pF @ 800V
  • FET功能：標準
  • 功率耗散（最大值）：107W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：PG-TO263-7-12
  • IMBG120R140M1HXTMA1 | Infineon代理全新原裝現貨
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