類別：單端場效應管
規格：MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN
PQFN
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基本功能
制造商產品型號：IRFH5302DTRPBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購描述：MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN系列：HEXFETFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：29A（Ta），100A（Tc）不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：2.5 毫歐 @ 50A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 100μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3635pF @ 25V功率 - 最大值：3.6W安裝類型：表面貼裝產品封裝：8-VQFN供應商器件封裝：PQFN（5x6）單芯片焊盤IRFH5302DTRPBF | IR代理全新原裝現貨以下產品與IRFH5302DTRPBF或許具有相似功能：
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