類別：場效應(yīng)管陣列
規(guī)格：MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
8-SO
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基本功能
制造商產(chǎn)品型號：IRF8915PBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購描述：MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC系列：HEXFETFET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.9A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18.3 毫歐 @ 8.9A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：7.4nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：540pF @ 10V功率 - 最大值：2W安裝類型：表面貼裝產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIRF8915PBF | IR代理全新原裝現(xiàn)貨以下產(chǎn)品與IRF8915PBF或許具有相似功能：
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