類別：場效應管陣列
規格：MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
8-SO
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基本功能
制造商產品型號：IRF8513TRPBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC系列：HEXFETFET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：8A，11A不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：15.5 毫歐 @ 8A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.6nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：766pF @ 15V功率 - 最大值：1.5W，2.4W安裝類型：表面貼裝產品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：8-SOIRF8513TRPBF | IR代理全新原裝現貨以下產品與IRF8513TRPBF或許具有相似功能：
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