類別：單端場(chǎng)效應(yīng)管
規(guī)格：MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
8-SO
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基本功能
制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF7473PBF制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購(gòu)描述：MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC系列：HEXFETFET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：6.9A（Ta）不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 4.1A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：61nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3180pF @ 25V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOIRF7473PBF | IR代理全新原裝現(xiàn)貨以下產(chǎn)品與IRF7473PBF或許具有相似功能：
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