類別:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
規格:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
封裝:6-VFDFN
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基本功能
制造商產品型號:DMN2013UFX-7制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列產品系列:Automotive, AEC-Q101零件狀態:有源FET類型:2 N 溝道(雙)共漏FET功能:標準漏源電壓(Vdss):20V25°C時電流-連續漏極(Id):10A(Ta)不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):11.5 毫歐 @ 8.5A,4.5V不同Id時Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):57.4nC @ 8V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):2607pF @ 10V功率-最大值:2.14W工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型封裝:6-VFDFNDMN2013UFX-7 | Diodes代理全新原裝現貨
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