基本功能
制造商產品型號：DMG4N60SJ3制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 600V 3A TO251系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產品系列：-零件狀態：停產FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：600V25°C時電流-連續漏極(Id)：3A（Tc）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：2.5 歐姆 @ 2A，10V不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14.3nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：532pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：41W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：TO-251DMG4N60SJ3 | Diodes代理全新原裝現貨
